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SJ20011-1992 SJ 20011-1992 半导体分立器件 GP、GT和GCT级CS1型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范

标准编号:SJ20011-1992 整理时间:1992-02-01 浏览次数:2
资料名称: SJ20011-1992 SJ 20011-1992 半导体分立器件 GP、GT和GCT级CS1型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
标准类别:
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授权形式: 免费下载
标准状态:
作废日期:
发布日期: 1992-02-01◎
实施日期: 1992-05-01◎
首发日期:
复审日期:
出版日期:
标准编号: SJ 20011-1992
标准名称: 半导体分立器件 GP、GT和GCT级CS1型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
英文名称: Semiconductor discrete device-Detail specification for silicon N-channel deplition mode field-effect transistor of Type CS1 GP,GT and GCT classes(仅供参考)
标准简介: SJ 20011-1992 半导体分立器件 GP、GT和GCT级CS1型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范 电子行业标准(SJ) SJ20011-1992 本标准规定了CS1型硅沟道结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求该种器件按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。 压缩包解压密码:www.51zbz.com
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起草单位: 中国电子技术标准化研究所(仅供参考)
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