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SJ20068-1992 SJ 20068-1992 半导体分立器件 2DW14~18型低噪声硅电压基准二极管详细规范

标准编号:SJ20068-1992 整理时间:1992-11-19 浏览次数:9
资料名称: SJ20068-1992 SJ 20068-1992 半导体分立器件 2DW14~18型低噪声硅电压基准二极管详细规范
标准类别:
语  言: 简体中文
授权形式: 免费下载
标准状态:
作废日期:
发布日期: 1992-11-19◎
实施日期: 1993-05-01◎
首发日期:
复审日期:
出版日期:
标准编号: SJ 20068-1992
标准名称: 半导体分立器件 2DW14~18型低噪声硅电压基准二极管详细规范
英文名称: Semiconductor discrete device-Detail specification for lower noise for silicon voltage reference diode for Type 2DW14~18(仅供参考)



标准简介: SJ 20068-1992 半导体分立器件 2DW14~18型低噪声硅电压基准二极管详细规范 电子行业标准(SJ) SJ20068-1992 本规范规定了2DWl4~l8型低噪声低硅电压基准二极管(以下简称器件)的详细要求,该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GcT). 压缩包解压密码:www.51zbz.com
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起草单位: 中国电子技术标准化研究所和杭州无线电二厂(仅供参考)
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