资料名称: | GB/T1551-1995 GB/T 1551-1995 硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法 |
标准类别: |
语 言: | 简体中文 | ||
授权形式: | 免费下载 | ||
标准状态: | ◎ | ||
作废日期: | ◎ | ||
发布日期: | 1995-04-18◎ | ||
实施日期: | 1995-01-02◎ | ||
首发日期: | 1979-05-26◎ | ||
复审日期: | 2004-10-14◎ | ||
出版日期: | ◎ |
标准编号: | GB/T 1551-1995 | |
标准名称: | 硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法 | |
英文名称: | Test method for rseistivity of silicon and germanium bars using a two-point probe(仅供参考) |
标准简介: | GB/T 1551-1995 硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法 国家标准(GB) GB/T1551-1995 本标准规定了用直流两探针测量硅和锗单晶锭电阻率的方法。本标准适用于测量截面积均匀的圆形、方形或矩形单晶锭的电阻率。 压缩包解压密码:www.51zbz.com | |
推荐链接: | 载入中 | |
替代情况: | GB 1551-1979 GB 5253-1985(仅供参考) | |
采标情况: | ,(仅供参考) | |
发布部门: | 国家技术监督局(仅供参考) | |
提出单位: | (仅供参考) | |
归口单位: | 全国半导体材料和设备标准化技术委员会(仅供参考) | |
主管部门: | 国家标准化管理委员会(仅供参考) | |
起草单位: | 上海有色金属工业总公司(仅供参考) | |
起 草 人: | (仅供参考) | |
出 版 社: | 中国标准出版社(仅供参考) |
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页 数: | 平装16开, 页数:13, 字数:20千字(仅供参考) | |
书 号: | (仅供参考) | |
下载次数: | 4次 | |
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