| 资料名称： | GB/T4326-1984 GB/T 4326-1984 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 |
| 标准类别： |
| 语 言： | 简体中文 | ||
| 授权形式： | 免费下载 | ||
| 标准状态： | 已作废◎ | ||
| 作废日期： | 2006-11-01◎ | ||
| 发布日期： | 1984-04-12◎ | ||
| 实施日期： | 1985-03-01◎ | ||
| 首发日期： | ◎ | ||
| 复审日期： | 2004-10-14◎ | ||
| 出版日期： | ◎ |
| 标准编号： | GB/T 4326-1984 | |
| 标准名称： | 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 | |
| 英文名称： | Extrinsic semiconductor single crystals; Measurement of Hall mobility and Hall coefficient（仅供参考） | |
| 标准简介： | GB/T 4326-1984 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 国家标准(GB) GB/T4326-1984 本标准适用于在非本征半导体单晶试样中确定载流子霍尔迁移率。为获得霍尔迁移率必须测量电阻率和霍尔系数，因此本标准也分别适用于这些参数的测量。本方法仅在有限的范围内和对锗、硅和砷化镓进行了实验室测量，但该方法也可适用于其他半导体单晶材料。所述的测量技术至少适用于室温电阻率高达104Ωcm的试样。 压缩包解压密码：www.51zbz.com | |
| 推荐链接： | 载入中 | |
| 替代情况： | 被GB/T 4326-2006代替（仅供参考） | |
| 采标情况： | （仅供参考） | |
| 发布部门： | 国家标准局（仅供参考） | |
| 提出单位： | （仅供参考） | |
| 归口单位： | 中国有色金属工业协会（仅供参考） | |
| 主管部门： | 中国有色金属工业协会（仅供参考） | |
| 起草单位： | 有色金属研究总院（仅供参考） | |
| 起 草 人： | （仅供参考） | |
| 出 版 社： | （仅供参考） |
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| 页 数： | 11页（仅供参考） | |
| 书 号： | （仅供参考） | |
| 下载次数： | 0次 | |
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