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GB/T14141-1993 GB/T 14141-1993 硅外延层,扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法

标准编号:GB/T14141-1993 整理时间:1993-02-06 浏览次数:10
资料名称: GB/T14141-1993 GB/T 14141-1993 硅外延层,扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
标准类别:
语  言: 简体中文
授权形式: 免费下载
标准状态:
作废日期:
发布日期: 1993-02-06◎
实施日期: 1993-10-01◎
首发日期: 1993-02-06◎
复审日期: 2004-10-14◎
出版日期:
标准编号: GB/T 14141-1993
标准名称: 硅外延层,扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
英文名称: Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array(仅供参考)
标准简介: GB/T 14141-1993 硅外延层,扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法 国家标准(GB) GB/T14141-1993 本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于10.0mm用外延、扩散、离子注入到硅圆片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。对于厚度为0.2~3μm的薄层,测量范围为250~5000Ω;对于厚度不小于3μm的薄层,薄层电阻的测量下限可达10Ω。 压缩包解压密码:www.51zbz.com
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替代情况: (仅供参考)
采标情况: ASTM F374-1984,EQV(仅供参考)
发布部门: 国家技术监督局(仅供参考)
提出单位: (仅供参考)
归口单位: 全国半导体材料和设备标准化技术委员会(仅供参考)
主管部门: 国家标准化管理委员会(仅供参考)
起草单位: 峨眉半导体材料研究所(仅供参考)
起 草 人: (仅供参考)
出 版 社:

中国标准出版社(仅供参考)

页  数: 平装16开, 页数:6, 字数:9千字(仅供参考)
书  号: (仅供参考)
下载次数: 11次
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