| 资料名称： | GB/T14145-1993 GB/T 14145-1993 硅外延层堆垛层错密度测定干涉相衬显微镜法 |
| 标准类别： |
| 语 言： | 简体中文 | ||
| 授权形式： | 免费下载 | ||
| 标准状态： | 已作废◎ | ||
| 作废日期： | 2005-10-14◎ | ||
| 发布日期： | 1993-02-06◎ | ||
| 实施日期： | 1993-10-01◎ | ||
| 首发日期： | ◎ | ||
| 复审日期： | 2004-10-14◎ | ||
| 出版日期： | ◎ |
| 标准编号： | GB/T 14145-1993 | |
| 标准名称： | 硅外延层堆垛层错密度测定干涉相衬显微镜法 | |
| 英文名称： | Test method for stacking fault density of epitaxial layers of silicon by interference contrast microscopy（仅供参考） | |
| 标准简介： | GB/T 14145-1993 硅外延层堆垛层错密度测定干涉相衬显微镜法 国家标准(GB) GB/T14145-1993 本标准规定了使用干涉相衬显微镜非破坏性测量硅外延层堆垛层错密度的方法。本标准适用于硅外延层厚度不小于3μm、外延层晶向偏离｛111｝晶面或｛100｝晶面角度较小的试样的堆垛层错密度测量。当堆垛层错密度超过15000cm-2或当外延层晶向与｛111｝晶面或｛100｝晶面偏离角度较大时，测量精度将有所降低。 压缩包解压密码：www.51zbz.com | |
| 推荐链接： | 载入中 | |
| 替代情况： | （仅供参考） | |
| 采标情况： | ASTM F522-1984,REF（仅供参考） | |
| 发布部门： | 国家技术监督局（仅供参考） | |
| 提出单位： | （仅供参考） | |
| 归口单位： | 全国半导体材料和设备标准化技术委员会（仅供参考） | |
| 主管部门： | 国家标准化管理委员会（仅供参考） | |
| 起草单位： | 上海有色金属研究所（仅供参考） | |
| 起 草 人： | （仅供参考） | |
| 出 版 社： | （仅供参考） |
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| 页 数： | 平装16开， 页数：5， 字数：6千字（仅供参考） | |
| 书 号： | （仅供参考） | |
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