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SJ1551-1979 SJ 1551-1979 硅外延层电阻率测试方法(电容-电压法)(暂行)

标准编号:SJ1551-1979 整理时间:1980-03-01 浏览次数:7
资料名称: SJ1551-1979 SJ 1551-1979 硅外延层电阻率测试方法(电容-电压法)(暂行)
标准类别:
语  言: 简体中文
授权形式: 免费下载
标准状态:
作废日期:
发布日期: 1980-03-01◎
实施日期: 1980-06-01◎
首发日期:
复审日期:
出版日期: 1980-06-01◎
标准编号: SJ 1551-1979
标准名称: 硅外延层电阻率测试方法(电容-电压法)(暂行)
英文名称: Method of measurement for resistivity of silicon epitaxial layer (capacitance-voltage method) (Provisional)(仅供参考)
标准简介: SJ 1551-1979 硅外延层电阻率测试方法(电容-电压法)(暂行) 电子行业标准(SJ) SJ1551-1979 本标准规定了N/N、P/P结构硅外延片的净杂质浓度,通过净杂质浓度与电阻率的关系曲线,可求得电阻率。 压缩包解压密码:www.51zbz.com
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采标情况: (仅供参考)
发布部门: 中华人民共和国第四机械工业部(仅供参考)
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归口单位: (仅供参考)
主管部门: (仅供参考)
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页  数: 4页(仅供参考)
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