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SJ20858-2002 SJ 20858-2002 碳化硅单晶材料电学参数测试方法

标准编号:SJ20858-2002 整理时间:2002-12-12 浏览次数:12
资料名称: SJ20858-2002 SJ 20858-2002 碳化硅单晶材料电学参数测试方法
标准类别:
语  言: 简体中文
授权形式: 免费下载
标准状态:
作废日期:
发布日期: 2002-12-12◎
实施日期: 2003-05-01◎
首发日期:
复审日期:
出版日期: 2004-04-19◎
标准编号: SJ 20858-2002
标准名称: 碳化硅单晶材料电学参数测试方法
英文名称: Measuring methods for electrical parameters of silicon carbide single crystal material(仅供参考)
标准简介: SJ 20858-2002 碳化硅单晶材料电学参数测试方法 电子行业标准(SJ) SJ20858-2002 本标准规定了碳化硅单晶材料的电阻率、霍尔迁移率测试方法。本标准适用于温度在20℃~700℃范围内的4H-SiC、6H-SiC等低阻碳化硅体单晶材料的电阻率、霍尔迁移率测量。 压缩包解压密码:www.51zbz.com
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发布部门: (仅供参考)
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主管部门: (仅供参考)
起草单位: 中国电子科技集团公司第四十六所(仅供参考)
起 草 人: (仅供参考)
出 版 社:

工业电子出版社(仅供参考)

页  数: 9页(仅供参考)
书  号: (仅供参考)
下载次数: 2次
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