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YS/T679-2008 YS/T 679-2008 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法

标准编号:YS/T679-2008 整理时间:2008-03-12 浏览次数:26
资料名称: YS/T679-2008 YS/T 679-2008 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法
标准类别:
语  言: 简体中文
授权形式: 免费下载
标准状态:
作废日期:
发布日期: 2008-03-12◎
实施日期: 2008-09-01◎
首发日期:
复审日期:
出版日期: 2008-09-01◎
标准编号: YS/T 679-2008
标准名称: 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法
英文名称: Test methods for minority carrier diffusion length in extrinsic semiconductors by measurement of steady-steady-state surface photovoltage(仅供参考)
标准简介: YS/T 679-2008 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法 有色金属行业标准(YS) YS/T679-2008 本标准适用于非本征单晶半导体材料样品或相同导电类型重掺衬底上沉积已知电阻率的同质外延层中的少数载流子扩散长度的测量。要求样品或外延层厚度大于4倍的扩散长度。 压缩包解压密码:www.51zbz.com
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替代情况: (仅供参考)
采标情况: MOD SEMI MF 391-1106(仅供参考)
发布部门: 国家发展和改革委员会(仅供参考)
提出单位: 全国有色金属标准化技术委员会(仅供参考)
归口单位: 全国有色金属标准化技术委员会(仅供参考)
主管部门: (仅供参考)
起草单位: 有研半导体材料股份有限公司(仅供参考)
起 草 人: 孙燕、卢立延、杜娟、李俊峰、翟富义(仅供参考)
出 版 社:

中国标准出版社(仅供参考)

页  数: 16页(仅供参考)
书  号: (仅供参考)
下载次数: 2次
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