| 资料名称： | GB11297.6-1989 GB 11297.6-1989 锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法 |
| 标准类别： |
| 语 言： | 简体中文 | ||
| 授权形式： | 免费下载 | ||
| 标准状态： | ◎ | ||
| 作废日期： | ◎ | ||
| 发布日期： | 1988-10-09◎ | ||
| 实施日期： | 1990-01-01◎ | ||
| 首发日期： | 1989-03-31◎ | ||
| 复审日期： | 2004-10-14◎ | ||
| 出版日期： | ◎ |
| 标准编号： | GB 11297.6-1989 | |
| 标准名称： | 锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法 | |
| 英文名称： | Standard method for showing and measuring dislocation etch pits in Indium Antimonide single crystal（仅供参考） | |
| 标准简介： | GB 11297.6-1989 锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法 国家标准(GB) GB11297.6-1989 在晶体中，由于缺陷处的势能较高，在缺陷处的腐蚀速率较大，在适当的腐蚀剂中，当缺陷处的腐蚀速率远高于完整晶面的腐蚀速率时，在缺陷处就会形成位错蚀坑和其他斑痕，在金相显微镜下可以观测多种缺陷。 压缩包解压密码：www.51zbz.com | |
| 推荐链接： | 载入中 | |
| 替代情况： | （仅供参考） | |
| 采标情况： | （仅供参考） | |
| 发布部门： | 中华人民共和国机械电子工业部（仅供参考） | |
| 提出单位： | （仅供参考） | |
| 归口单位： | 全国半导体材料和设备标准化技术委员会（仅供参考） | |
| 主管部门： | 国家标准化管理委员会（仅供参考） | |
| 起草单位： | 机械电子工业部第十一研究所（仅供参考） | |
| 起 草 人： | 李文华（仅供参考） | |
| 出 版 社： | 中国标准出版社（仅供参考） |
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| 页 数： | 3页（仅供参考） | |
| 书 号： | （仅供参考） | |
| 下载次数： | 1次 | |
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